 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
 |
|
 |
|
 |
|
 |
|
 |
 |
|
|||||||||||||||
|
|
НОВОСТИ ВПК |
Уважаемые господа!
ФГУП НПП "Пульсар", первое промышленное предприятие полупроводниковой транзисторной электроники, основан в 1953 году по решению Совета Министров СССР. Основные направления деятельности предприятия - разработка нового поколения электронной компонентной база для твердотельного радиоэлектронного приборостроения, выпуск твердотельной аппаратуры для информационных систем различного назначения. В их числе перспективные твердотельные РЛС, изделия для оборонного комплекса, космоса. Предприятие имеет соответствующие лицензии и полностью обеспечивает контроль качества продукции в соответствии с отечественными и международными стандартами качества. На предприятии функционирует дизайн-центр для проектирования ИЭТ и комплексированных СФБ, оснащенный современным программно-аппаратным комплексом проектирования. Проводится техническое перевооружение и реконструкция, обеспечивающая производство различных ИЭТ с проектными нормами 0,35-0,5 мкм. Производственно-технологическое и исследовательское оборудование обеспечивают выполнение и контроль сложных технологических процессов ионного легирования, электронной и проекционной литографии, нанесения диэлектрических и металлических пленок, химических и плазмохимических обработок полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов, тонких слоев многослойных композиционных полупроводниковых структур. Наряду с технологиями создания приборов на кремнии и арсениде галлия, предприятие активно наращивает работы по широкозонным полупроводникам, таким как карбид кремния, нитриды галлия и алюминия, алмаз. На предприятии сложился высококвалифицированный научно-производственный коллектив, включающий более 50 кандидатов наук и 11 докторов наук, разработчиков высокого уровня. Будущее предприятия неразрывно связано с притоком талантливой молодежи, для творческого и карьерного роста которой, организована эффективно действующая система наставничества, предусмотрены персональные гранты. На предприятии активно работает одна из старейших в отрасли аспирантур, действует диссертационный совет с правом присуждения степеней кандидата и доктора технических наук. Издается научно-технический журнал "Электронная техника. Полупроводниковые приборы", ежегодно проводятся научно-технические конференции с конкурсом докладов молодых специалистов. Заходите наш сайт, и Вы будете в курсе наших достижений в области разработки и создания изделий радиоэлектроники, последних событий из жизни предприятия. Генеральный директор ФГУП НПП "Пульсар" А. Г. Васильев Уважаемые коллеги! Министерство промышленности и торговли, МНТОРЭС им. А. С. Попова, ФГУП "НПП "ПУЛЬСАР", ФГУП "ГЗ "ПУЛЬСАР", ФТИ РАН, ИРЭ РАН, МИРЭА, МГИЭМ приглашают Вас принять участие в VII юбилейной научно-технической конференции, посвященной 55-летию предприятий "Пульсар" Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА Конференция состоится 07 -08 октября 2008 г. в г. Москве. НПП "Пульсар" - лидер российской твердотельной СВЧ-электроники  Васильев Андрей Георгиевич
С 2005 года - генеральный директор ФГУП "НПП "Пульсар". В настоящее время возглавляет комплекс работ по созданию СВЧ твердотельной элементной базы на традиционных и новых широкозонных материалах, а также сложных функциональных блоков для радиолокационных систем. Является специалистом в области физики и технологии микро и наноэлектроники, автором и соавтором более 100 научных трудов. Крымко Михаил Миронович
 Родился в г. Москве в 1947 г. В 1969 г. окончил Московский институт стали и сплавов по специальности "Полупроводниковые приборы". Кандидат технических наук. Работает в ФГУП "НПП "Пульсар" с 1969 г. Прошел путь от инженера до главного инженера. С 2003 г. работает в должности главного инженера. Ведущий специалист по созданию силовых полупроводниковых приборов и модулей. За время работы на предприятии при его непосредственном участии разработан ряд фотоэлектронных приборов (ФПЗС), силовых транзисторов, интегральных схем и модулей. Как главный инженер внес большой вклад в организацию проектирования и поставок твердотельной радиоэлектронной аппаратуры для РЛС. Автор ряда научных работ и авторских свидетельств. Награжден медалями "300 лет Российскому флоту" и "В память 850 летия Москвы. Кузнецов Юрий Алексеевич
 Родился 13 апреля 1940 года в Москве. В 1962 г. окончил Московский энергетический институт по специальности «Диэлектрики и полупроводники». Кандидат технических наук. Работает в ФГУП «НПП «Пульсар» с 1962 г. Прошел путь от инженера до заместителя генерального директора. С 1982 г. работает в должности заместителя генерального директора по научной работе. Ведущий специалист в области создания приборов фотоэлектроники. В 1960 годах занимался разработкой методов эпитаксиального наращивания германия и созданием СВЧ германиевых транзисторов. Одним из первых в СССР занимался разработкой лавинных транзисторов. С 1973 г. возглавил работы по созданию отечественных изделий фотоэлектроники на Организовывал и руководил проведением конференций по физике, технологии и конструированию ПЗС, некоторые из которых имели статус международных с изданием трудов в виде сборников SPIE (Вашингтон). Автор более 100 научных работ и изобретений. Лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и техники за разработку научных и технологических основ создания фоточувствительных сверхбольших интегральных схем на приборах с зарядовой связью и их промышленное освоение, 1998 г. Имеет почетное звание «Заслуженный изобретатель Российской Федерации». Награжден орденами «Трудового Красного знамени», «Знак почета», медалями «Ветеран труда», «В память 850-летия Москвы». 
|
Я рад приветствовать Вас на web-сайте ФГУП НПП "Пульсар". Размещая свое представительство
в Internet, мы хотим наиболее полно ознакомить Вас с научными и производственными
возможностями предприятия по разработке изделий радиоэлектроники от полупроводниковых
СВЧ, силовых, фото- и микроэлектронных приборов до твердотельных сложных функциональных
блоков РЭА, создаваемых на их основе.
Васильев Андрей Георгиевич родился 9 июня 1958 г.
Окончил Московский института электронной техники в 1982 г., доктор физико-математических наук (1996 г.), профессор (2002 г.). В 1982 году поступил на работу в Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН. С 1983 по 1989 г. работал в Институте общей физики РАН, с 1989 по 1998 г. - в Физико-технологическом институте РАН. В 1998 году переведен в Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА) на должность декана факультета электроники.